技术编号：5269772
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提出了一种键合晶圆、器件晶圆及键合结构，在键合晶圆上形成真空区和非真空区，真空区内设有钛薄膜，非真空区内没有钛薄膜，器件晶圆的电感和特定用途集成电路之间由键合材料隔离开，将器件晶圆和键合晶圆进行键合获得键合结构，使电感位于非真空区，特定用途集成电路位于真空区，由于电感和特定用途的集成电路之间由键合材料隔离开，因此真空区和非真空区互不影响，从而能够在不影响电感品质因数的前提下，保证真空腔的真空度。专利说明键合晶圆、器件晶圆及键合结构 [000...
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