技术编号：5269790
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种以石墨烯作为导电材料的铜铟硒纳米晶硅薄膜太阳电池，其特征在于，所述太阳电池结构从上至下依次为金属正面电极、n型重掺杂石墨烯薄膜、n型纳米晶硅薄膜、p型纳米晶硅薄膜、本征石墨烯过渡层、n型硫化镉薄膜、p型铜铟硒薄膜、p型重掺杂石墨烯薄膜、金属背面电极。本实用新型的优点是所述n型和p型纳米晶硅薄膜构成第一结电池，其禁带宽度控制在1.4-1.7eV；所述n型硫化镉薄膜和p型铜铟硒薄膜构成第二结电池，其禁带宽度控制在1.0-1.2eV；不同禁带...
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