技术编号：5269833
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及MEMS传感器，具体是一种基于RTS (共振隧穿结构)的MEMS面内高g 加速度传感器。背景技术现有MEMS高g加速度传感器的结构多采用悬臂梁-质量块结构，在悬臂梁上设置 敏感元件，由质量块敏感加速度。主要用于测量与传感器所在平面垂直方向上的加速度，即 当传感器受到垂直于本身的加速度作用时，质量块将在加速度方向上产生与加速度大小对 应的位移，此时悬臂梁将会发生弯曲变形，并在其表面产生拉应力(或压应力)，进而致使位 于悬臂梁表面的敏感元件的阻值增大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。