技术编号：5270219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层；在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层；在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层。本发明还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构。上述半导体器件中深槽的填充方法，填充结构在花瓶深槽的瓶颈处填充得更完全，结构更稳固。高温处理（例如退火）后不会在膜层表面出现断裂或脱落现象。所以可在该填充结构上继续生长其它器件结构层，进行光刻等工艺。专利说明 [0...
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