技术编号：5270227
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，该方法是在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生折射率变化区域，再通过氢氟酸和硝酸的混合液，腐蚀去除折射变化区域，从而制备碳化硅微结构。该方法工艺流程简单，微结构的分布不需要掩模板定义；与当前常用的湿法和干法刻蚀相比，腐蚀选择性好，刻蚀区域完全由激光辐照区域决定。利用该方法，通过调控激光辐照参数，可以在碳化硅基片上制备没有杂质元素污染的高纵横比狭槽。该方法可以应用于半导体器件领域和微机械电子系统。专利说明[000...
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