技术编号：5270235
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供。在半导体器件的形成方法中，在基底上形成金属导电层之前，先形成第一导电层；再以金属导电层上图案化后的光刻胶层为掩膜刻蚀金属导电层，至露出第一导电层；并在去除所述光刻胶层后，继续刻蚀所述第一导电层至露出所述基底。其中，在刻蚀完金属导电层后灰化去除光刻胶层的过程中，由于有第一导电层的保护，可有效避免灰化工艺中氧等离子气体与基底接触而造成基底损伤。专利说明 [0001]本发明涉及半导体形成领域，尤其是涉及。 背景技术 [0002]数字微镜器件...
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