技术编号：5270329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，属于二次电池。具体经过溶液配比、合成、沉化和后处理得到产品纳米级羟基氧化钴。本发明与现有技术相比，可应用于镍氢电池生产中，在正极材料中可完全替代氧化亚钴，氢氧化钴，不但可降低生产成本，提高产品质量的稳定性，利用率，而且在循环寿命、低温放电等方面更具有优势，将带来我国镍氢电池生产工艺提升的一场新的变革。专利说明一种纳米级羟基氧化钴合成工艺[0001]本发明涉及一种纳米级羟基氧化钴合成工艺，具体涉及一种对二次电池的容量、...
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