技术编号：5270339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明披露了器件和形成所述器件的方法。所述器件包含基底和薄膜。所述基底的特征为具有第一热膨胀系数。所述薄膜与基底的表面连接，并且特征为具有第二热膨胀系数。所述薄膜包含呈压缩状态的第一层和第二层，和呈拉伸状态的第三层，所述第三层位于第一层和第二层之间。所述薄膜在一定温度范围内为净拉伸状态。专利说明具有改善的温度范围的薄膜[0001]本发明涉及器件和形成器件的方法。背景技术[0002]微结构器件经常包含布置在基底表面顶部的薄膜，所述膜形成悬臂(cantilev...
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