技术编号：5270520
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种集成压力、流量、温度等参数测量的微传感芯片及制作方法，主要包括压力传感区域、流量与温度传感区域，本发明基于硅加工工艺，首先在基底整个硅层上方热氧化一层二氧化硅，在压力传感区域二氧化硅层上进行局部掺杂分别形成接触电阻和压敏电阻，再在整个硅片两面都热氧化沉积一层二氧化硅与低压化学气相沉积（LPCVD）一层低应力氮化硅，在流量传感区域用剥离法沉积一层铬和铂图形，在硅片正面压力传感区域局部刻蚀氮化硅和二氧化硅，再沉积一层铝或金膜图形形成整个芯片电极，流量传感区...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。