技术编号：5270529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种基于Si导电柱的圆片级封装方法及其单片集成式MEMS芯片，该方法包括MEMS圆片形成、待键合ASIC圆片形成、单片集成式MEMS圆片形成、Si导电柱形成和单片集成式MEMS芯片形成几个步骤。本发明的芯片由MEMS圆片和待键合ASIC芯片键合而成，盖板的上腔体与ASIC芯片的下腔体和MEMS结构层围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内；盖板与MEMS结构层间有盖板绝缘层，盖板上有导电柱，导电柱连接金属焊块和导电塞；待键合ASIC圆片包括金属密封...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。