技术编号：5270536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，包括如下步骤步骤1取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2对Si衬底进行清洗；步骤3采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7在分叉结构基片上覆盖...
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