技术编号：5270675
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到设定温度，向炉腔内通入氨气后，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。本发明以Ga2O3为镓源、氨气为氮源、Pt为催化剂，用CVD法在特定的工艺条件下，在硅衬底上制备出笋形六方纤锌矿单晶GaN纳米线，其场发射增强因子为646，发光峰位于364nm，具有优良的光学和电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。