技术编号：5270950
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，具体的工艺步骤为首先在尺寸已设定的铜基片上旋涂一层SU-8光刻胶，经过前烘、曝光、后烘、显影、竖膜等工艺过程得到微电铸母模，然后再运用微电铸和去胶工艺得到1/2结构，最后利用销接工艺将两片1/2结构组合成一个整体。本发明使用一次涂胶工艺结合销接工艺即可得到大厚度、高深宽比的全金属沟道型微结构，避免了使用多次涂胶工艺获得大厚度胶膜时的由曝光带来侧壁垂直性问题和去胶不完全引起的沟道内光刻胶残留问题，突破了采用常规UV-LIGA技术和深反应离子刻蚀...
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