技术编号：5271198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件，涉及一种纳米半导体器件的加工方法。背景技术被称为万能半导体材料的金属氧化物材料，因其特殊的材料特性在最近十年间备受关注，由金属氧化物纳米材料制备的器件也越来越展示出其独特的特性。而纳米材料，从二维的纳米薄膜，到零维量子点、一维量子线，纳米材料微单元表面间断处裸露出的微元原子、分子越来越多。相比宏观材料而言，纳米材料的表面原子占有率相当之高，因此表面效应成为了纳米材料主体性能的严重影响因素。在相同的材质组成条件下，显然材料尖端的 微粒单...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。