技术编号：5271429
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CuInSe2纳米粒子,具体涉及ー种CuInSe2纳米粒子的形貌与尺寸可控制备方法。背景技术铜铟硒太阳能电池因具有高吸光常数、高转化效率、低廉造价和丰富的原材料来源被认为是未来最有前途和最有市场竞争力的ー类太阳能电池。在铜铟硒太阳能电池复杂的结构中，硒化铜铟(CuInSe2)薄膜层是电池的核心材料。传统制备CuInSe2薄膜层的方法主要有共蒸发法、溅射法、激光诱导合成法、硒化金属预制层法等，这些方法大多需要昂贵的设备，并且CuInSe2薄膜层的化...
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