技术编号：5271606
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，以及加速传感器及其制造方法。背景技术 在先前的薄膜结构体中，在基板上与基板隔开配置的导电性薄膜体是依照如下方式形成的。即于形成于基板上的牺牲膜上，在不掺杂杂质的情况下，藉由一次的成膜工程形成薄膜体形成用的多晶硅膜。接著，在该多晶硅膜上，利用离子注入法等，自其表面导入所需的导电型杂质，藉此可将多晶硅膜导体化。接下来，将该多晶硅膜连同基板导入扩散炉内，并在完成对多晶硅膜的高温退火处理后，除去牺牲膜而...
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