技术编号：5271626
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及MEMS工艺中微结构的制作方法，尤其涉及一种离心分离牺牲层工艺。背景技术牺牲层技术也称分离层技术，就是利用不同材料在同一腐蚀液中腐蚀速率的巨大差异，将已按一定形状和顺序叠加在一起的多层薄膜材料中的一层选择性地去掉，从而得到所需的结构，其中被去掉的这一层被称为牺牲层。根据牺牲层去除方法的不同，牺牲层技术主要分为干法腐蚀牺牲层技术和湿法腐蚀牺牲层技术。干法腐蚀牺牲层技术就是用气态腐蚀或等离子体刻蚀的方法来去除牺牲层。例如采用气态HF和甲醇来去除SiO...
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