技术编号：5271694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种重掺杂硼硅片，尤其是涉及一种在微机电系统(MEMS)中利用射频感应加热扩散法对硅片重掺杂硼后进行再分布的方法。背景技术在微机电系统加工技术中，重掺杂工艺与可控性好的自停止腐蚀工艺相结合，可精确制备出几微米至几十微米厚的硼硅膜，作为微器件的结构层(如压力膜、悬臂梁等)。由于结构层尺寸要求，通常需要采用热扩散的方法进行高浓度深掺杂。在热扩散工艺中，为获得较深的重掺杂层，通常需要进行两步扩散——预扩散和再分布。对于再分布，热扩散的通常方法是取出源片...
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