技术编号：5271955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成纳米间隙的方法、用于分子器件或生物传感器的纳米场效应晶体管(nanoFET)的制造方法和结构，更具体地说，本发明涉及使用尺寸与分子尺寸一样薄或与分子尺寸相似的膜来形成高重现性的纳米间隙的方法，以及通过所述形成纳米间隙的方法而制得的纳米场效应晶体管。背景技术 金属板位于纳米尺寸间隙的两侧的金属纳米间隙在制造分子器件和生物传感器方面具有很重要的价值。随着技术的持续发展，已经与高性能化和小型化一起实现了半导体器件的高集成化。由于半导体制造过程中所用...
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