技术编号：5271961
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光器件、制造该半导体发光器件的方法和一种光模块，在该半导体发光器件中有源层包括由至少包含镓(Ga)、砷(As)、和氮(N)的化合物半导体制成的阱层。背景技术 近年来，由于信息量的增大和通信速度的提高，因此对使用光纤的光通信提出了持续的需求。因此，已经积极开展了用于1.3μm波段或1.5μm波段(在这些波段中光纤的传输损耗低)光通信的发光器件的开发。在传统上，主要是利用InP衬底由GaInAsP材料制造的发光器件。不过，当使用InP衬底...
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