技术编号：5271986
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二氧化锡纳米颗粒的制备方法。背景技术 二氧化锡(SnO2)是重要的宽禁带半导体材料之一，禁带宽度为3.6eV，由于其具有化学和机械稳定性，在透明导电膜、气敏传感器、光催化、太阳能转换等有广泛的应用。进入21世纪，人们愈来愈发现纳米尺度材料存在许多特殊物理化学性能，SnO2纳米材料也同样受到特别的关注。其中作为气体传感器是SnO2最重要的用途之一，影响SnO2气敏性的因素有多种，其中晶粒的尺寸和比表面积的大小是主要的影响因素。通常，SnO2粒径...
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