技术编号：5272028
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到在金属钨基体上生长纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法，属于纳米材料。背景技术 氧化钨材料是一种新型功能材料，可用于化学传感器、催化材料、电化学电极、电致变色材料、高温超导材料、太阳能吸收材料、吸波隐形材料等。由于氧化钨半导体薄膜或纳米粒子的制备技术成熟，制备方法(如溶胶-凝胶法、水热法、沉淀法、气相沉积法等)比较简单，因而绝大部分氧化钨材料仅局限于薄膜和纳米粒子。但纳米结构材料所具有的结构-尺寸效应及高表面积等特性，引起人们对氧化钨纳米结构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。