技术编号:5276473
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是一ノ濑博文等人于1996年10月16日递交的申请号为96119282.8、发明名称为“腐蚀方法、用所说腐蚀方法生产半导体元件的工艺、和适合用于实现所说腐蚀方法的装置”的发明专利申请的分案申请。本发明涉及一种改进的刻蚀方法,用所说刻蚀方法生产半导体元件的工艺、和适合用于实现所说刻蚀方法的刻蚀装置。特别涉及简单且具有良好选择刻蚀精度、并能在不刻蚀的区域或层上没有或只有轻微损伤地将物体刻蚀为合乎要求的状态的改进的刻蚀方法。本发明还涉及在所说刻蚀方法基础上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。