技术编号：5276982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，尤其涉及一种可用于处理形成在衬底(例如半导体晶片)表面上的导电材料或者用于去除粘附在衬底表面上的杂质的。背景技术 近年来，有一种很明显的趋势是使用电阻率低且耐电迁移性高的铜(Cu)，而不是使用铝或铝合金作为在衬底如半导体晶片上形成电路的材料。通过将铜填充在衬底表面上形成的细微凹穴中，整体形成铜内连。形成这种铜内连的各种技术是已知的，包括化学汽相淀积、溅射和电镀。根据上述技术中的任何一种，铜薄膜形成在衬底的基本整个表面上，然后经过化学机械抛光...
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