技术编号:5277015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及从衬底上去除导电材料所用的组合物和方法。背景技术 可靠地制造亚半微米和更小线宽的特征(feature)是下一代半导体器件的超大规模集成电路(VLSI)和特大规模集成电路(ULSI)的关键技术之一。然而,随着向电路技术极限的推进,VLSI和ULSI技术中缩小的互连尺寸已对处理能力提出了额外的要求。互连的可靠形成对VLSI和ULSI的成功,以及对提高单个衬底和管芯的质量和电路密度所作的持续努力来说都是重要的。利用在衬底表面上顺序地沉积和去除材料的技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。