技术编号:5277682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用直流电沉积法制备ai/ZnO纳米管的方法,特别是一种可精确控制ai/ZnO纳米管的长度、管壁厚度,以及管径大小的方法。属于金属纳米管或一维半导体纳米管材料制备。背景技术近年来,半导体材料的纳米结构越来越引起人们的广泛关注,这是因为它们在未来的纳米器件和系统中扮演重要的角色。氧化锌(SiO)作为典型的II-VI族直接宽禁带半导体材料,因其多样性的纳米结构以及独特的光学和电学性质以及压电性能而备受人们关注。ZnO已经逐渐成为继碳纳米管(CNT...
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