技术编号:5278515
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于同时电沉积具有实质上不同标准电沉积电位的两种金属的方法和设备。具体来说,本发明涉及用于针对晶片级封装应用同时电沉积锡和银的方法和设备。背景技术电化学沉积工艺在现代集成电路制作中是得到确认的。在21世纪早期从铝金属线转到铜金属线驱动了对更尖端的电沉积工艺和镀敷工具的需要。回应于在装置金属化层中需要越来越小的载流线,展开了大量的改进。这些铜线是通过使用常被称作“镶嵌”加工的方法将金属电镀到极薄、高纵横比的沟槽和通孔中来形成。电化学沉积现在作好准备...
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