技术编号:5278605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体地,涉及在诸如半导体衬底等的、内部具有沿竖向贯通的多个通孔且能够用在半导体芯片等的所谓的三维封装中的衬底的制造中,用于将诸如铜的金属填充到导孔(via)中的。背景技术作为将半导体衬底的多层堆叠的层电连接的方法,已知有形成沿竖向贯通半导体衬底的由诸如铜的金属构成的通孔的技术。图IA至IC示出了用于生产内部具有由铜构成的通孔的衬底的示例性处理。首先,如图IA所示,例如通过光刻/蚀刻技术在诸如硅晶片的基底10中形成多个向上开口的导孔12,之...
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