技术编号:5281580
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,其特征在于,采用下列工艺步骤(1)共析法熔盐电解制备铝硅合金;(2)定向凝固分离铝硅;(3)真空蒸馏和定向凝固高纯硅。本发明获得的高纯多晶硅的磷含量减少到0.08×10-6,磞含量小于0.1×10-6,硅纯度达到99.99995%以上,满足了太阳能级硅对杂质的含量要求(小于0.5×10-6)。专利说明[0001]本发明涉及一种生产太阳能级多晶硅的方法,特别涉及一种,属于冶金领域。背景技术[0002]太阳能是取之不竭的无污染绿色能源,大规模开...
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