技术编号:5281657
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,包括如下步骤步骤(1)选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片,选择纯水,并冷却;步骤(2)将所述半导体芯片进行抽真空处理;步骤(3)将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中;步骤(4)将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激;步骤(5)将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。本发明使深孔与镀液充分接触,减少大深宽比的孔径中残留的气泡,有效减少空隙和接缝等缺陷的发生。专利说明[0001]本发明属于半导体芯片三维封装领域,具体涉及一种。背景技术...
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