技术编号:5286015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在基材上形成的ULSI微细配线的阻挡层上具有采用电镀法成膜的用 作为种子层的钌层的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有ULSI微细配线的半导体晶 片。背景技术作为ULSI (超大规模集成电路;ultra-large scale integration)微细铜配线 (大马士革铜配线;damascene copper wiring)的铜的成膜方法,已知通过无电解镀铜设置 种子层(籽晶层;seed layer),通过电镀铜来形成铜膜的方法。然而,在...
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