技术编号:5286646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及一种在半导体器件制造中用于直接镀铜和填充而形成互连的方法和组合物。背景技术由于铜比铝更低的电阻率以及铜对电迁移的高抵抗性,因而铜金属化已被广泛地用于形成现今的超大规模集成(ULSI)半导体器件中所需的多层互连。多层互连由铜线(也被称作沟槽)的网络构成,用于分配各种信号和功率并与集成电路的不同区域连接。为了发挥更大的投资效益,这些线叠置在经介电材料隔开的几层中,并且各层经由被称作通孔的垂直孔相互连接。使用镶嵌工艺形成线和通孔[参见,例如S.W...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。