技术编号：5286879
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于多孔氧化铝制备领域，特别是涉及一种使氧化阻挡层薄化的制备 多孔氧化铝的方法。背景技术以多孔氧化铝为模板使用电化学沉积法制备金属的纳米结构有十几年的历 史。用这种方法可以制备有序排列的金属纳米阵列，其特殊的物理和化学性质可 以在光学、电学、磁学等领域得到应用。恒定电压条件下制备多孔氧化铝模板时， 在铝基和多孔膜之间有一层致密的氧化层称为阻挡层。因为厚的阻挡层是绝缘的，每增加一伏电压阻挡层厚度就增加1~1.2 nm。所以使用电化学方法制备纳 米线时，...
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