技术编号:5287247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。背景技术传统工艺中,通常应用电镀工艺形成器件与外部电路间的互连金属层(如铜)。利 用传统工艺执行电镀操作的步骤包括,步骤11 如图1所示,确定电镀层厚度并提供基底 IO,所述基底10表面形成有晶种层20 ;步骤12 如图2所示,在所述晶种层20上形成电镀 层30。 为改善后续化学机械研磨(CMP)及晶片可接受性测试(WAT)和可靠性测试的效 果,通常,在形成电镀层30后,需执行退火操作。作为示例,执行所述退火操作的工艺条...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。