技术编号:5288042
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及一种以喷镀铜金属来填充穿硅通孔(through siliconvia)的 方法及组合物。背景技术对半导体集成电路(IC)元件(如具有高电路速率和高电路密度的计算机芯片) 的需求,要求在极大规模集成电路和超大规模集成电路结构中缩小外形比例。缩小元件尺 寸和增大电路密度的趋势要求缩小相连结构体的尺寸并增加其排列密度。相连结构体是这 样一种结构在镶嵌于绝缘基材中的通路或管沟中填充金属,典型的是铜金属,从而形成导 电性连通。铜比除银之外的其它任何金...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。