技术编号:5288161
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多孔硅阳极氧化表面处理技术,属半导体材料,确切说,功能信息材料的制备。背景技术 多孔硅是孔径为纳米数量级的、海绵状的多孔材料。自1956年Uhlir首次采用阳极氧化方法制备得到多孔硅以来,越来越多的科研工作者重视该项研究,特别是近10多年来,它在微电子学和光电子学领域的应用前景,引起了广泛关注,成为当前研究的热点。制备多孔硅,一般采用电化学腐蚀方法把P型单晶硅片悬置在腐蚀槽内,注入腐蚀液,HF、水和无水乙醇的混和溶液,通过电化学腐蚀技术在P型...
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