技术编号：5288396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术氧化镍薄膜是一种具有能量贮存、电致变色、催化、气体敏感等特性的p 型半导体功能材料，在化学电源、平板显示、有机化工、环境检测等许多高技 术领域具有重要用途。氧化镍薄膜的制备方法一般可分为物理法和化学法。物 理法主要包括真空蒸发、溅射、离子束沉积、外延膜沉积等方法，制得的薄膜 具有与基体结合良好、膜层密度高、均匀性好等优点。但是因物理法所用设备 成本昂贵、工艺条件要求高、不易进行大面积均匀镀膜而限制了其发展。化学 法主要包括热分解、化学...
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