技术编号:5288821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液,用于N 型宏孔硅微通道阵列的加工,属于硅微细加工。背景技术光辅助电化学腐蚀方法是一种能够用于N型硅微通道加工的技术。在N型硅中 空穴为少子,主要载流子是电子,欲使硅的阳极氧化溶解反应进行下去,必须采用光照射 激发产生空穴,这一过程称为光电化学腐蚀(PEC)。采用光辅助电化学腐蚀方法加工硅微 通道阵列,硅微通道径向尺寸O. 1 IO微米,深度可达几百微米。硅微通道阵列在微通 道板及光子晶体等领域...
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