技术编号:570581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术传统上已将半导体制造归为两类方法前段制程(FE0L)和后段制程(BEOL) 。 FEOL 方法包括形成晶体管、触点和金属插栓。BEOL方法包括形成互连线,其用于在整个半导体装 置中传输信号。 在传统上,FEOL被认为是非金属方法,其通常涉及沉积栅极结构的膜并使该膜图 案化以及离子注入。离子注入将掺杂剂加至基材而产生源极和漏极区域。将由多晶硅制成 的栅极用作继电器来控制电子在源极和漏极之间的转移。随着半导体工业正朝着更加致密 化和小型化发展,半导体栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。