技术编号:5810199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种磷酸排放管路结构,尤其涉及一种防结晶的磷酸排放管路结构。背景技术在半导体集成电路制造工艺中,通常使用高温磷酸(H3P04)腐蚀并去除硅单晶 片衬底背面上的氮化硅(SiN)层。高温加热的磷酸失水后生成焦磷酸(H4P207)和偏磷酸 (HPO》,经冷却后进入厂务的排放管路中。请参见图l,图l示出了现有的磷酸排放管路结 构的示意图,所述磷酸排放管路结构包括设于磷酸冷却槽1下部的排放管11和设于所述磷 酸冷却槽1靠近顶部位置的溢流管12。所述排放...
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