技术编号：5812200
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于单氯硅烷的罐表面处理相关申请的交叉引用本专利申请要求序号为61/353,870、申请日为2010年6月11日的在先美国临时专利申请的利益。背景技术单氯硅烷(分子式ClSiH3，下文称为MCS)已被确定为一种在微芯片制造中用于低温氮化硅薄膜沉积的有希望的前体。MCS在其自身的蒸气压(在68° F下为74psig，在20°C下为612kPa)下在密封容器中作为液体储存。钢容器用于容纳MCS的蒸气压且是有关其运输的法规所要求的。高质量的氮化硅薄膜沉积工艺需要...
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