技术编号:5821186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明,涉及一种半导体装置的保护电路的构成,特別是有关具有绝 缘栅极型开关元件的半导体装置中从过电流保护该开关元件的过电流保护 电路。背景技术图7,表示横式绝绝缘栅双极晶体管(IGBT=Insulated Gate Bipolar Trans istor)的一般剖面构成。图7所示的横式绝缘栅双极晶体管51中,在N一型 半导体衬底201的表面部上形成了 P—型基础区域205。基础区域205的表 面部上,形成了 N+型发射极区域206。还有,以从发射极区域20...
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