技术编号：5830654
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及确定半导体衬底温度的方法和装置。 背景技术半导体衬底或晶片的温度是集成电路(IC)处理步骤(例如电介 质刻蚀、Cu阻挡层和Cu籽晶层的物理气相沉积(PVD)及电介质层的 化学气相沉积(CVD))中的重要参数。在沉积或刻蚀处理步骤期间， 由于能量传送到半导体晶片，半导体晶片的温度升高，所述能量传输 是由半导体晶片的表面上撞击的原子和/或离子和/或半导体晶片的表 面上材料的凝结导致的。此外，半导体晶片的温度确定沉积或刻蚀处 理步骤的性能。通常将有源反...
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