技术编号：5830707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光。背景技术一般是通过在硅晶片上依次沉积导体层、半导体层或绝缘层而在衬底 上形成集成电路。 一个制造步骤包括沉积填充层至非平坦面上并将填充层 平坦化。就某些应用而言，将填充层平坦化直到露出图案化层的顶面为 止。举例来说，可将导体填充层沉积在图案化的绝缘层上，以填充绝缘层 中的沟槽或孔。平坦化之后，留在绝缘层的凸起图案之间的导体层部分构 成过孔、插塞(plug)和线路，以做为衬底上薄膜电路之间的传导路径。就 诸如氧化物抛光等其它应用而...
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