技术编号:5835602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于三元化合物半导体材料的腐蚀领域,特别涉及一种CdGeAs2晶体的腐蚀 剂与腐蚀方法。背景技术黄铜矿类晶体CdGeAs2 (简称CGA),属于四方结构,点群1^2d,是一种红外非线性光学材料。CdGeAs2晶体热温膨胀系数沿a轴和c轴相差15倍以上,使得完整无开裂晶体 的生长极为困难,生长出来的晶体存在着众多缺陷。各种缺陷的产生和数量的多少不仅 与晶体制备工艺有关,同时对制备器件的性能有重要影响。晶体缺陷的实验观察方法有多种,如透射电子显微镜、扫描...
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