技术编号：5851288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于应用温度元件一热电偶，特别涉及铂铑热电偶。 背景技术扩散/氧化工艺是半导体工艺中最常涉及的工艺之一，是半导体器件与电路 钝化、掩蔽及结构制作的基础。扩散/氧化工艺常采用高温炉，炉内为氧气气氛， 为提高整个工艺的均匀性，在炉体内得到一个等温的恒温区是一个基本的要求， 因此需要内置热电偶对炉体内的温度进行多点、实时监控。半导体器件的扩散/氧化工艺所需温度较高，短期温度可达128(TC，有时需 达到135(TC，在125(TC 135(TC的温度区...
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