技术编号:5852487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了。背景技术在工业规模上,在大约2000°C的温度下,在光电弧炉中通过用碳还原二氧化硅来获得粗娃。这提供了具有大约98-99%纯度的“冶金学等级”的硅(Simg)。为了用于光电学以及微电子学,冶金学等级的硅必须进行纯化。为此目的,例如,在流化床反应器中,在300-350°C下,使其与气态氯化氢进行反应,从而产生含硅气体,例如三氯硅烷。此后紧接着蒸馏步骤,用来纯化含硅气体。然后,将这种高纯度含硅气体用作生 产高纯度多晶硅的起始材料。—般通过西门子方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。