技术编号:585763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此描述的实施例总体涉及半导体发光元件。 背景技术近年来,包括GaN类半导体的蓝色和/或绿色的发光二极管(LED)的研究开发在进展。在FU(Face Up,面朝上)型的LED中,一般使用ITOandium Tin Oxide 氧化铟锡) 等氧化物透明导电体作为P型GaN层上的透明导电体。为了降低LED的驱动电压,ITO与ρ型GaN层间的接触电阻的减小不可或缺。但是,现状是,ITO与P型GaN层之间的肖特基势垒高度高为3. &V,使接触电阻减小是困难...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。