技术编号：5865114
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池制造的领域，更具体来说，涉及应用光致发光测量来检测 诸如旁路之类的缺陷对完全处理过的或部分处理过的太阳能电池的影响。背景技术在硅太阳能电池的制造过程中，被旁路的电池是降低平均生产量和平均生产效率 的常见问题。“旁路(shunt)”是二极管的局部短路。旁路通常以局部方式出现，其例如由 硅锭的生产期间的氮化硅或者碳化硅杂质生长引起。这些旁路可以称作“材料导致的旁 路”。另一个旁路来源是不理想的处理，例如在丝网印刷的硅太阳能电池处理中，当丝网...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。