技术编号:5865500
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明,是关于。 背景技术以往,半导体电路元件或液晶显示元件的制造工艺中,会进行形成于半导体晶圆 (wafer)或液晶基板(以下称为“样本”)表面的光阻层的图案的缺陷检查。例如,已揭示有调整来自光源的光的偏光状态与形成光学像的0次及高次绕射光的强度以比较样本表面的影像的检查方法。此种检查,使用Critical Dimension SEM(测距扫描型电子显微镜, 以下称为“CD-SEM”)。先前技术文献专利文献专利文献1 专利第3956942号公报。 发明内...
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